东芝和日本半导体提出新方法 可优化LDMOS中的HBM容差并抑制导通电阻

盖世汽车讯 6月11日，东芝电子器件与存储株式会社（东芝）和日本半导体株式会社（日本半导体）共同展示了一种改进方法，可提高高压横向双扩散MOS （Laterally Double Diffused MOS，LDMOS）的可靠性和性能。其中，LDMOS是在电机控制驱动程序等大量汽车应用中使用的模拟IC的核心组件。随着车辆电气化的不断发展，包括更广泛地部署高级驾驶辅助系统（ADAS），东芝和日本半导体将能够根据所需电压提供改进的LDMOS单元设计。

（图片来源：东芝）

众所周知，设计LDMOS时经常需要在可靠性和性能间进行取舍。横向寄生双极效应通常会降低人体模型（HBM）容差。而通过增加背栅比（backgate ratio）抑制横向寄生双极效应，HBM测量的静电放电（ESD）的容差会得到改善。然而，增加背栅比也会增加导通电阻，从而降低性能。截至目前，LDMOS设计人员仍然必须在HBM容差与更高的导通电阻之间取得平衡。

东芝和日本半导体对LDMOS中的HBM容差进行了评估，发现即使背栅比增加，在80V以上时容差也没有增加。他们发现这是因为在2D TCAD模拟中，垂直寄生双极效应与横向寄生双极效应一起出现，使设计人员在设置HBM和背栅比参数时具有更大的自由度。

东芝公司开发出一种技术，可优化除了背栅比（背栅的总宽度与源和背栅的总宽度之比）之外的单元设计参数。而将该技术与此次的发现相结合，东芝和日本半导体提出一种改善HBM容差并抑制80V及更高LDMOS导通电阻的方法，从而使得LDMOS可具有HBM容差，且不依赖背栅比。该方法可应用于发动机、转向系统等其他汽车系统中，将有助于提高可靠性和功率效率。

东芝拥有适用于各种应用、各种电压的LDMOS广泛产品阵容，并且正在开发可集成嵌入式非易失性存储器（eNVM）和高压模拟IC的第五代工艺技术。东芝和日本半导体致力于半导体工艺研发，为低功耗和高可靠性做出贡献。